【摘 要】
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采用CMOS/SIMOX工艺制作1Msam ple/s 8 位A/D转换器。该A/D转换器采用半闪烁型结构,由两个4 位全并行A/D转换器实现8 位转换。电路共有31个比较器,采用斩波稳零型结构,具有结
【机 构】
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信息产业部电子第二十四研究所!重庆400060,信息产业部电子第二十四研究所!重庆400060,电子科技大学电子工程学院!四川成都610054
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采用CMOS/SIMOX工艺制作1Msam ple/s 8 位A/D转换器。该A/D转换器采用半闪烁型结构,由两个4 位全并行A/D转换器实现8 位转换。电路共有31个比较器,采用斩波稳零型结构,具有结构简单和失调补偿功能。电路由2100 个器件组成,芯片面积为3.53 m m ×3.07 m m
Using CMOS / SIMOX technology making 1Msam ple / s 8-bit A / D converter. The A / D converter using semi-flashing structure, by the two 4-bit full-parallel A / D converter to achieve 8-bit conversion. Circuit a total of 31 comparators, using chopper-stabilized structure, with simple structure and offset compensation. The circuit consists of 2100 devices with a chip area of 3.53 m m × 3.07 m m
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