【摘 要】
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提出一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管 (a -Si:HTFT)结构。详细地分析了源、漏电极接触区和沟通区内载流子的输运特性。论述了在背光照射下 ,这种结构的TFT能有效
【机 构】
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提出一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管 (a -Si:HTFT)结构。详细地分析了源、漏电极接触区和沟通区内载流子的输运特性。论述了在背光照射下 ,这种结构的TFT能有效抑制关态电流 (Ioff)上升的机理。研究了有源层a -Si:H膜层厚度对TFT关态电流和开态电流的影响。检测了这种结构TFT在暗态和背光照射下的静态特性。
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