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在SiC纤维表面利用直流磁控溅射PVD(Physical VaporDeposition)技术沉积钛合金是制备钛基复合材料的重要工艺过程。研究了直流磁控PVD技术在SiC纤维表面沉积钛合金工艺中，靶基距对涂层厚度分布，结构演变，薄膜生长的影响，并通过表面轮廓仪，XRD(X-RayDiffraction)，原子力显微镜对涂层进行表征。结果表明：随着靶基距的减小，涂层均匀性降低，沉积率增加，能量增高，生长模式由V型柱状晶变为等轴柱状晶；柱状晶由多个纳米柱状晶合并形成。