【摘 要】
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提出了一种新的全耗尽SOIMOSFETs阈值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层硅界面处的电势最小值用于监测SOIMOSFETs的阈值电压.
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所 北京100029,北京100029
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提出了一种新的全耗尽SOIMOSFETs阈值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层硅界面处的电势最小值用于监测SOIMOSFETs的阈值电压.通过对不同栅长、栅氧厚度、硅膜厚度和沟道掺杂浓度的SOIMOSFETs的MEDICI模拟结果的比较,验证了该模型,并取得了很好的一致性.
A new two-dimensional analytic model of threshold voltage for fully depleted SOIMOSFETs is proposed.The two-dimensional potential distribution function of the device active layer is obtained by solving the two-dimensional Poisson equation, and the minimum potential at the silicon oxide layer interface is used to monitor the SOIMOSFETs Threshold voltage.The model is validated by comparing the MEDICI simulation results of SOIMOSFETs with different gate length, gate oxide thickness, silicon film thickness and channel doping concentration, and the obtained model has good agreement.
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