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期刊论文
c轴取向PbTiO3外延生长的研究
c轴取向PbTiO3外延生长的研究
来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:A2335767
【摘 要】
:
本文研究了MOCVD法淀积过程中工艺条件对PbTiO3膜c轴取向度的影响,探讨了PbTiO3膜的生长过程,通过调节氧气流量首次在MgO(100)单晶衬底上淀积出c轴取向的PbTiO3外延膜。PbTiO3外延膜的介电常数为90,折射率为2.64,均和单晶性能一
【作 者】
:
陈先同
罗维根
丁爱丽
仇萍荪
李晖
平井敏雄
【机 构】
:
中国科学院上海硅酸盐研究所,日本东北大学金属材料研究所
【出 处】
:
无机材料学报
【发表日期】
:
1995年2期
【关键词】
:
外延生长
薄膜
MOCVD
钛酸铅
C轴取向
epitaxial growth
PbTiO3 thin film
MOCVD
【基金项目】
:
863-715和攀登A资助
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本文研究了MOCVD法淀积过程中工艺条件对PbTiO3膜c轴取向度的影响,探讨了PbTiO3膜的生长过程,通过调节氧气流量首次在MgO(100)单晶衬底上淀积出c轴取向的PbTiO3外延膜。PbTiO3外延膜的介电常数为90,折射率为2.64,均和单晶性能一致。
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