ALN陶瓷相关论文
近年来,非氧化物陶瓷在金化工、机械密封、发热元件等诸多领域有着广泛的应用。特别是其中的Al N、B4C和Si C,在集成电路、航空、......
为了研究磷酸对AlN陶瓷烧结的影响,利用磷酸对AlN粉末进行酸洗处理制备了具有较高抗水解能力的AlN粉末,在碳管炉氮气气氛下进行陶......
AlN陶瓷热导率高且综合性能优异,可作为半导体基板材料使用,并且在诸多方面拥有极大的应用前景。但AlN难以烧结致密,高致密度是获......
微电子信息技术、大规模集成电路（LSI）、多芯片组件（MCM）和微机电系统（MENS）等技术的迅速发展对电子整机的要求越来越高,越来越迫切,促使......
现代电子技术正处于快速发展时期,微电子及电力电子器件朝着小型化、集成化、高功率密度、高可靠性等的方向发展,对电子器件散热能......
AlN作为陶瓷封装材料具有优异的电性能和热性能.针对高功率、高频多芯片组件高密度组装的需要,采用激光加工技术在AlN陶瓷基片上直......
AlN（氮化铝）陶瓷具有各种优异的性能,尤其是高热导率和低介电性能,使其在电子基板封装材料、耐热材料等多个领域都有广泛的应用。市......
利用国产六面顶压机，在5.0 GPa，1 300～1 800℃实现了无烧结助剂AlN陶瓷的高压烧结，用XRD、SEM及拉曼光谱对烧结体进行了表征。研究表明......
本文综合阐述了电子封装用粉末冶金材料,主要包括AlO陶瓷、BeO陶瓷、AlN陶瓷、SiC陶瓷、W-Cu合金、Mo-Cu合金及SiC/Al复合材料.介......
采用飞秒激光螺旋制孔方式加工AlN陶瓷跑道孔,分析了进给量对跑道孔加工形貌、尺寸及效率的影响.在确保加工质量的前提下,以提高制......
提升AlN陶瓷粉体的抗水解性能对于其储存和成型加工至关重要。使用一种抗水解涂层作为阻止水分与AlN表面接触的屏障,以提升AlN粉体......
期刊
钎焊是陶瓷材料与自身或与金属、半导体等连接的最主要方法,由于金属熔液难以润湿陶瓷,传统钎焊方法通过在陶瓷钎焊面形成可被金属......
为了得到高热导、高结合强度的大功率LED散热基板,利用沉降法在氮化铝陶瓷基板表面快速覆钨,并在室温下通过激光扫描实现钨在氮化......
通过对氮化铝陶瓷材料项目及其国内外发展状况的简单介绍，AlN陶瓷的应用有赖于粉体制造技术的提高，AlN陶瓷成本过高限制了它的实际应......
本文从Al2O3陶瓷、AlN陶瓷、微波衰减材料及陶瓷-金属封接技术等四方面综述了微波管用陶瓷材料的国内外发展状况.分析了国内外微波......
以高温自蔓延法合成的AlN粉末为原料,加入5wt％ Y2O3为烧结助剂,注射成形制备AlN陶瓷.采用的黏结剂体系组成为石蜡(PW,60wt％)、聚丙烯......
利用国产六面顶压机，在5.0 GPa，1 300～1 800℃实现了无烧结助剂AlN陶瓷的高压烧结，用XRD、SEM及拉曼光谱对烧结体进行了表征。研究......
该文选用申海氮化物有限公司采用自蔓延高温合成(SHS)技术生产的并经抗水化处理的A1N粉体为主要原料,研究了以单一和二元复合稀土......
该文以探索简单可行、生产周期短,适于大规模工业化生产的高性能AlN陶瓷制备工艺为研究目标,利用两面顶技术,对添加单一和二元复合......
高导热、可加工AlN/BN复相陶瓷是一种极具应用前景的新型复合材料，可作为微电子领域、微波传输设备以及高温腐蚀环境中应用的理想材......
随着微电子技术的快速发展，对基板材料的性能如高热导率、低热膨胀系数、低介电常数和良好的热稳定性等，提出了更高的要求。近年来，以......
研究了AIN陶瓷间的Ag70Cu28Ti2活性焊膏钎焊封接工艺.封接温度和封接保温时间对AIN接头强度有很大的影响.实验结果表明,在800～950℃......
期刊
通过直接敷铜(DBC)工艺,在AlN陶瓷基板表面于1 000~1 060℃的敷接温度下制备Cu/AlN材料,利用机械剥离机、场发射扫描电子显微镜和X......
采用燃烧合成工艺，在超高压氮气下，制备了具有较高致密度的ＡｌＮ／Ｙ_２Ｏ_３陶瓷．研究表明，Ａｌ－Ｎ_２－Ｙ_２Ｏ_３的自蔓延高温合成（ＳＨＳ）过程为：６６０ ℃ Ａｌ熔化，１０００℃ Ａｌ剧烈挥发并与_Ｎ２迅速......
本文探索了以自蔓延高温(SHS)法合成并经抗水化处理的AlN崐粉为原料,添加YLiO2-CaF2/YLiO2-CaCO3的AlN陶瓷的低温烧结. 研究表明,Y......
期刊
以Al,AlN粉为原料,采用反应烧结技术制备AlN陶瓷.Al粉含量、Al粉粒径、成型压力和升温制度是RBAN的重要工艺参数,优化工艺参数可制......
探索了AlN陶瓷在不同烧结气氛、湿气及不同温度下的氧化行为和机理.结果表明:湿气的存在显著地影响了AlN陶瓷的氧化行为,1225℃,Al......
以自蔓延高温合成方法(SHS)制备的并经抗水化处理的AlN粉体为原料,研究了埋粉条件对添加Sm2O3的AlN陶瓷显微结构和导热性能的影响......
本文用透射电镜（ＴＥＭ）的衍射技术和高分辨电镜（ＨＲＴＥＭ）研究了用原位固－气－液三态反应法制备的原位ＴｉＣ－ＡｌＮ／Ａｌ复合材料中ＡｌＮ颗粒与Ａｌ界面的微观组织结构，发现ＡｌＮ／Ａｌ界面两侧......
采用 SHS工艺 ,在 1 0 0 MPa的高压氮气下 ,制备了具有较高致密度的 Al N/Y2 O3陶瓷。结果显示 ,Al- N2 - Y2 O3体系的 SHS过程中 ......
利用国产六面顶压机在5.0GPa,1300～1800℃条件下实现了以La2O3为助剂的AlN陶瓷体的高压低温烧结.用XRD、SEM、微区拉曼光谱对AlN高......
在5.0 GPa、1300-1800℃条件下不使用烧结助剂高压烧结制备了AlN陶瓷,研究了烧结温度和烧结时间对AlN高压烧结体微观结构和残余应......
AlN自扩散系数小,烧结非常困难。通过使用超细粉、热压或热等静压烧结引入助烧剂获得致密的高性能AlN陶瓷。引入助烧剂适用于流延......
对氮化铝陶瓷Ti-Ag-Cu活性法焊接界面的微观结构进行了研究，对比了涂TiH2后用Ag-Cu焊接和直接用Ti-Ag-Cu合金箔焊接两种方法的焊接......
本文针对AlN陶瓷难以烧结致密的特点,采用放电等离子烧结(SparkPlasmaSintering,SPS)技术,利用SPS过程中脉冲电流产生局部高温来加......
为了制备结构致密的AlN陶瓷，在AlN粉末中加入2％（w）的Y2 O3，经细磨、造粒、成型烘干后，在热压炉内于氮气气氛中1800～1950℃分别保温1～4 h无......
首先利用化学工艺制备出烧结助剂Y2O3均匀混合的AlN粉体及BN均匀包覆AlN的复合粉体。利用无压烧结制备出AlN陶瓷及BN—AlN基复相陶......
随着微电子技术的快速发展，混合集成电路(HIC)和多芯片组件(McM)方面对陶瓷封装材料提出了更高的要求。氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的......
本文研究了掺杂不同质量分数的Y2O3的AIN陶瓷在超高压状态下烧结的物相组成和微观结构.研究表明,Y2O3是有效的低温烧结助剂,在低温......
本文分别以Y2O3、CaO、Dy2O3、Nd2O2与Sm2O3为助烧剂，利用微波烧结法制备了AlN陶瓷，并分析了助烧剂添加量对陶瓷样品微结构的影响。......
用CaF2和YF3做添加剂,在1750℃制备了热导率高于170W/m.K的AlN陶瓷,并用XRD和SEM研究了AlN陶瓷在烧结过程中的相组成、微结构以及......
本文采用AlN-Y_2O_3-SiO_2,系制备出原位生长纤维状AlN多型体陶瓷复合材料,对其显微结构和生长机制进行了观察和研究,并测量其力学......
通过直接敷铜（DBC）工艺,在AlN陶瓷基板表面于1 000-1 060℃的敷接温度下制备Cu/AlN材料,利用机械剥离机、场发射扫描电子显微镜和X射......
在这研究，我们调查了 AlN 陶艺的绝缘的损失正切和介电常数怎么被象混合第二个传导性的阶段的方法， milling 时间， sintering 温度，和......
