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利用磁控溅射和热退火在硅衬底上制备了Ag纳米颗粒镶嵌的氧化硅薄膜（SiO2：Ag），制作了电致发光结构ITO／SiO2：Ag／p-Si，观测到了可见区的电致发光。发现薄膜中的Ag纳米颗粒不仅成倍地提高器件的发光强度，还明显地移动电致发光的峰位。Ag含量越高，颗粒越大，发光峰位越红移。氧化硅中的发光中心与纳米Ag间的电磁相互作用，可用来定性解释这一实验结果。这种效应可把低效发光的材料转换为相对高效的发光材料。