【摘 要】
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用射频等离子增强化学气相沉积方法(RF-PECVD)制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了辉光放电气体压强(20~80 Pa)对薄膜的暗电导率、电导激活能以及电阻温度系数的影响;
【机 构】
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电子科技大学光电信息学院; 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【基金项目】
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部级基金资助项目(06DZ02)
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用射频等离子增强化学气相沉积方法(RF-PECVD)制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了辉光放电气体压强(20~80 Pa)对薄膜的暗电导率、电导激活能以及电阻温度系数的影响;利用激光喇曼光谱研究了气体压强对a-Si∶H薄膜微结构的影响,并与薄膜的电学性能进行了综合讨论。结果表明:随着辉光放电气体压强的增加,a-Si∶H薄膜的暗电导逐步减小,但电导激活能和电阻温度系数都有不同程度的增大;同时,薄膜内非晶网络的短程和中程有序程度逐渐恶化。
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