【摘 要】
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基于1.0μm ONO（SiO2-Si3N4-SiO2）反熔丝CMOS工艺下的反熔丝单元器件,研究了ONO反熔丝单元器件的TDDB寿命预测模型。研究发现ONO反熔丝单元器件的温度激活能Ea与电场强度Eeff存
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基于1.0μm ONO（SiO2-Si3N4-SiO2）反熔丝CMOS工艺下的反熔丝单元器件,研究了ONO反熔丝单元器件的TDDB寿命预测模型。研究发现ONO反熔丝单元器件的温度激活能Ea与电场强度Eeff存在线性关系,证明了ONO反熔丝器件的TDDB寿命预测模型满足＂E Model＂;并基于TDDB可靠性实验数据分析,拟合＂E Model＂模型中的各个参数,建立了寿命预测模型。同时,通过建立的寿命模型预测不同批次的ONO单元器件寿命,与实测值对比发现,寿命预测模型具有较高的准确性。
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