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采用热蒸发法在玻璃衬底上沉积CsⅠ薄膜，然后进行不同温度的真空热处理。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对CsⅠ薄膜样品进行分析，测得241Am的脉冲高度谱，通过单光子法测量样品的光产额。结果表明，该CsⅠ薄膜沿（200）晶面择优取向生长。退火温度对CsⅠ薄膜的晶体结构和闪烁性能有很大的影响。CsⅠ薄膜经过250℃退火后，（200）晶面衍射峰明显增强，结晶状态最佳，光产额最高，而退火温度达400℃时，薄膜结构发生显著变化，闪烁性能急剧下降。