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采用高温还原法合成了Sr2MgSi2O7：Eu,Dy长余辉发光材料，并对其性能和余辉机制进行了研究，实验分析表明：这种磷光体的主发射峰位于469nm附近，是由于Eu^2+的4f5d-4f跃迁导致的；共掺杂的Dy^3+离子能形成合适深度的能级陷阱，从而明显提高余辉性能，其初始亮工可达2200mcd/m^2，余辉时间可达5h以上。