宽带用反向偏压HgCdTe光导二极管的噪声

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测量和分析了由反向偏压所引起的光电二极管的过量噪声。发现,噪声先随偏压缓慢上升到某一点,然后在较高电压下迅速升高。结果说明,噪声开始增加时的电压与结电容饱和时的电压相等。将光电二极管加偏压到该电压,就可大大增加频带宽而不严重地降低灵敏度。 The excessive noise of the photodiode caused by reverse bias was measured and analyzed. It was found that the noise first slowly rises to a certain point with the bias voltage and then rises rapidly at a higher voltage. The results show that the voltage at which noise starts to increase equals the voltage at which the junction capacitance saturates. By biasing the photodiode to this voltage, the bandwidth can be greatly increased without seriously degrading the sensitivity.
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