【摘 要】
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通过掺少量Te提高ZnSe受主杂质浓度,从而制成ZnSe p-n结太阳电池.单结ZnSe光电池在AM1条件下光谱响应半宽度范围365～450nm,波长为400nm时量子效率最大.ZnSe是一种好的叠层多结
【机 构】
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河北工业大学,河北工业大学,河北科技大学应用物理系
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通过掺少量Te提高ZnSe受主杂质浓度,从而制成ZnSe p-n结太阳电池.单结ZnSe光电池在AM1条件下光谱响应半宽度范围365～450nm,波长为400nm时量子效率最大.ZnSe是一种好的叠层多结光电池的顶层材料,可以提供较高的开路电压,并且是底层电池的窗口;在单结ZnSe光电池的基区指数掺杂,95%的区域内能产生大于104V/cm的附加电场,在400～475nm波长范围内,该电场可以使其外量子效率增加1～1.5倍.
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