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对于新型Ｎ＾＋ＩＰ发射结结构的微波功率管，采用一维数值模拟，分区计算了它的渡越时间，结果表明其截止频率的小电流特性可以获得明显的改善。
改善微波功率管小电流特性的模拟分析
【摘 要】
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对于新型Ｎ＾＋ＩＰ发射结结构的微波功率管，采用一维数值模拟，分区计算了它的渡越时间，结果表明其截止频率的小电流特性可以获得明显的改善。
【机 构】
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北京大学微电子学研究所
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1995年5期
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