【摘 要】
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本文介绍了一种利用 0 6 μm单硅双铝双阱CMOS工艺实现的 4Kbit掩膜ROM专用集成电路设计 (A SIC) .ROM单元应用串行结构 ,整个芯片的面积为 0 0 82mm2 .在 5伏电源下 ,功率
【机 构】
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北京理工大学电子工程系,北京理工大学电子工程系,北京理工大学电子工程系,北京理工大学电子工程系 北京100081,北京100081,北京100081,北京100081
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本文介绍了一种利用 0 6 μm单硅双铝双阱CMOS工艺实现的 4Kbit掩膜ROM专用集成电路设计 (A SIC) .ROM单元应用串行结构 ,整个芯片的面积为 0 0 82mm2 .在 5伏电源下 ,功率延迟积为 0 0 36PJ/bit,最大工作电流为 1 2mA ,最大静态漏电流为 0 1μA .采用一种新颖的灵敏放大器有效地提高了ROM的访问速度 ,ROM的访问时间为36ns.
In this paper, we introduce a 4Kbit mask ROM ASIC (A SIC) which is realized by 0 6 μm single-silicon double-aluminum double-well CMOS process.ROM unit uses a serial structure, the entire chip area is 0 0 82mm2. Under the volt power supply, the power delay product is 0 0 36PJ / bit, the maximum working current is 1 2mA, the maximum static leakage current is 0 1μA. The use of a new type of sense amplifier effectively improves the ROM access speed, the ROM access time is 36ns.
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