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该器件采用了N沟道OptiMOS3工艺制造，采用SuperS08封装，最大额定导通电阻仅为1．6mΩ。它具有很低的门极电荷。易于驱动，可以使用成本较低的驱动器。此外。优值系数（FOM）的提高使得驱动器的负荷降低30％，大大降低了驱动器工作温度。
30V N沟道MOSFET
【摘 要】
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该器件采用了N沟道OptiMOS3工艺制造，采用SuperS08封装，最大额定导通电阻仅为1．6mΩ。它具有很低的门极电荷。易于驱动，可以使用成本较低的驱动器。此外。优值系数（FOM）的提高使得
【出 处】
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今日电子
【发表日期】
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2006年12期
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