【摘 要】
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在77K°的低温下NPnN型N-InGaAsP(E)/P-InGaAs(B)/n-InGaAs(C_1)-N-InP(C_2)双极型晶体管的伏安曲线族显示出一个较大的开启电压V_(on)≌0.8伏。这个开启电压起源于收集区耗
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在77K°的低温下NPnN型N-InGaAsP(E)/P-InGaAs(B)/n-InGaAs(C_1)-N-InP(C_2)双极型晶体管的伏安曲线族显示出一个较大的开启电压V_(on)≌0.8伏。这个开启电压起源于收集区耗尽层中n-InGaAs(C_1)/N-Inp(C_2)同型异质结导带尖峰在低温下对电子的阻挡效应。对n-InGaAs/N-InP同型异质结的测量表明在室温下nN结呈现欧姆特性,当温度降至77K时则表现为非欧姆特性,整流比为5:1。
The voltammetry curves of the NPnN N-InGaAsP (E) / P-InGaAs (B) / n-InGaAs (C_1) -N-InP (C_2) bipolar transistors at 77K ° show a larger Open the voltage V_ (on) ≌ 0.8 volts. This turn-on voltage originates from the blocking effect of the n-InGaAs (C 1) / N-Inp (C 2) heterojunction conduction band spikes at the depletion layer of the collector region on electrons at low temperatures. Measurement of the n-InGaAs / N-InP homo-heterojunction shows that the nN junction exhibits ohmic behavior at room temperature, exhibits non-ohmic behavior at a temperature of 77K, and a rectification ratio of 5: 1.
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