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采用传统固相反应法制备添加不同质量分数(0~4%)MgO的K2O-Al2O3-SiO2体系低介电微波陶瓷,利用SEM、XRD、Agilent4284等测试手段,讨论加入MgO对K2O-Al2O3-SiO2相系的结构、显微组织、烧结温度及介电性能的影响。结果表明:添加MgO能有效降低K2O-Al2O3-SiO2体系的烧结温度,且室温下介电常数低,介电损耗小;1MH:下,添加质量分数2%MgO的样品在1150℃烧结后介电常数最小,为4.271,在1250℃烧结后介电损耗最小,为0.0049。