(Gd0.99-x Yx Ce0.01)2Si2O7晶体的生长及发光特性

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通过光学浮区法制备了铈掺杂焦硅酸钇钆(Gd0.99-xYxCe0.01)2Si2O7(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7)(简写为GYPS:Ce)闪烁晶体,并用X射线衍射(XRD)进行了物相识别,发现其属于正交晶系Pna21.通过真空紫外(VUV)激发和发射光谱、光致发光(PL)衰减曲线、X射线激发发射(XEL)光谱、γ射线脉冲高度谱等表征了它们的光致发光特性和闪烁特性.VUV和XEL光谱的发射峰均位于360 nm左右,对应于5d→4f跃迁.样品的PL衰减时间在29.1~32.9 ns之间;闪烁衰减时间快分量约为28~68 ns,慢分量约为256~583 ns.晶体存在Gd3+→Ce3+的能量传递行为.“,”Novel cerium doped (Gd0.99-xYxCe0.01)2Si2O7(x=0. 1, 0. 2, 0. 3, 0. 4, 0. 5, 0. 6, 0. 7) (GYPS:Ce) scintillation crystals were grown by optical floating zone method, and phase identifications were carried out by X-ray diffraction (XRD). It belongs to orthorhombic of Pna21. Their photoluminescence ( PL ) and scintillation properties of as-grown crystals were characterized through vacuum ultra-violet ( VUV ) excitation and emission spectra, PL decay curves, X-ray excitation luminescence ( XEL) spectra,γ-ray pulse height spectra. The emission peaks of VUV and XEL spectra all locate around 360 nm corresponding to 5d→4f transition. The PL decay time of as grown samples are in the range of 29. 1 ns to 32. 9 ns. The scintillation decay time components are in the range of 28 ns to 68 ns and 256 ns to 583 ns. There has energy transfer behavior of Gd3+→Ce3+ in crystal.
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