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利用红外光谱、光致发光光谱与Hall测量等手段,对Fe掺杂Hg1-xCdxTe体单晶样品进行实验,研究了Fe在Hg1-xCdxTe中的杂质行为,发现Fe掺杂在Hg1-xCdxTe中引入一个位于导带底下方约80meV的施主能级,并且发现掺杂HgCdTe中的Fe元素在低于180K温度下基本上不表现出电活性,但它能够起非辐射复合中心的作用,影响材料的非平衡载流子寿命,在积分光致发光强度的温度变化关系中明