论文部分内容阅读
利用红外光谱、光致发光光谱与Ｈａｌｌ测量等手段，对Ｆｅ掺杂Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ体单晶样品进行实验，研究了Ｆｅ在Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ中的杂质行为，发现Ｆｅ掺杂在Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ中引入一个位于导带底下方约８０ｍｅＶ的施主能级，并且发现掺杂ＨｇＣｄＴｅ中的Ｆｅ元素在低于１８０Ｋ温度下基本上不表现出电活性，但它能够起非辐射复合中心的作用，影响材料的非平衡载流子寿命，在积分光致发光强度的温度变化关系中明