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基区杂质外扩对SiGe/Si HBT低温特性的影响
基区杂质外扩对SiGe/Si HBT低温特性的影响
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaowei_0315
【摘 要】
:
SiGe/Si HBT的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区,使得低温增益下降,提出采用适当厚度的隔离层的方法,使HBT电流增益在低温下增长。
【作 者】
:
赵贞勇
黄绮
【机 构】
:
中科院物理研究所
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
1998年3期
【关键词】
:
HBT
低温特性
杂质外扩
锗化硅
硅
SiGe/Si HBTCharacters in low temperatureImpurity outward dif
【基金项目】
:
北京自然基金,国家“863”项目
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SiGe/Si HBT的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区,使得低温增益下降,提出采用适当厚度的隔离层的方法,使HBT电流增益在低温下增长。
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