【摘 要】
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采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为OsSi2（101）//Si（111）,取向关系为OsSi2[010]//Si〈011〉的OsSi2平衡体系及附近各点的电子结构进行了理论计算。计算结果表
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采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为OsSi2（101）//Si（111）,取向关系为OsSi2[010]//Si〈011〉的OsSi2平衡体系及附近各点的电子结构进行了理论计算。计算结果表明：当1.005nm≤a≤1.030时,且带隙值随着晶格常数a取值的增大而减小。当a取值为10.20时,体系处于稳定状态,此时OsSi2是具有带隙值为0.628eV的间接带隙半导体。
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