以NiFeNb为新种子层的纳米级坡莫合金薄膜的零场电阻率

来源 :重庆邮电学院学报(自然科学版) | 被引量 : 9次 | 上传用户:jingjong
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以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了具有不同Nb含量(x)、种子层厚度(d)和NiFe厚度(t)的(Ni82Fe18)(1-x)Nbx(dA)/Ni82Fe18(tA)/Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜,并对部分样品进行了中温退火。测量了样品的磁电阻曲线和微结构。从实验角度研究了零场电阻率(ρ)随x、d、t及退火的变化。结果表明,NiFeNb作为种子层能较大地提高坡莫合金薄膜的ρ;一定厚度坡莫合金薄膜的ρ极大的最佳工艺条件是x约为27.5,d约为27.5A;不同Nb含量、种
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