零场电阻率相关论文
以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了(Ni82 Fe18)(1-x)Nbx(35A)/Ni82Fe18(150A)/Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜.测量了样......
制备了(Ni82Fe18)72.9Nb27.1(dnm)/Ni82Fe18(3nm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜.测量了样品零场电阻率(ρ),各向异性磁电阻(AMR)和微结构......
制备了纳米级(Ni82Fe18)72.9Nb27.1(3.5nm)/Ni82Fe18(t nm)/Ta(3 nm)坡莫合金系列膜,并进行了中温退火(200 °C),测量了退火前......
以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了具有不同Nb含量(x)、种子层厚度(d)和NiFe厚度(t)的(Ni82Fe18)(1-x)Nbx(dA)/Ni82F......