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德国英飞凌科技与台湾南亚科技公司面向利用300rim晶圆生产的新一代DRAM,日前联合开发出了一种采用沟道结构内存单元的70nm工艺技术。准备用于2007年开始量产的1Gbit及2Gbit产品的生产。该技术的最大特点是:沟道电容器的绝缘膜首次采用了高介电常数(high-k)的Al2O3材料。由此增加了单元容量,从而就能缩小电容器的体积。除此之外,