纳米氧化钼薄膜的水热生长、器件制备及其电致变色性能

来源 :上海第二工业大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kpyuy
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
以金属钼粉为原料制备的过氧钼酸为前驱体溶液,直接在导电玻璃表面水热生长纳米氧化钼薄膜,并组装成电致变色器件,研究了器件的电致变色性能。研究表明:180±C下以过氧钼酸为前驱体溶液水热反应12h可以得到均匀的薄膜,薄膜由厚约100?150nm的纳米块组成;在波长720nm处透过率调制幅度最大,达到13.3%;器件变色较快,其着色时间为3.5s,褪色时间为2.9s。
其他文献
甲状腺癌根治术是目前治疗甲状腺癌的首选方法,但术后恶心呕吐的并发症长期以来并未减少[1],给患者造成身体及精神上的伤害。术后恶心呕吐会导致一些危及患者生命的并发症的
随着人们生活质量的提高,尤其是女性患者对于手术质量,手术切口的美观提出了更高的要求,腹腔镜手术具有具有切口小,损伤少,出血少,并发症发生率低,患者恢复快,住院时间短,术后伤口恢复
胸腔积液是由肺、胸膜炎症、缺血、发生坏事、液化或肺脏、胸膜、血管破裂,经支气管引流排入胸腔形成。x线表现为膈上有明显的液平面,因病因不同、治疗不同,预后也各异。现对我
报道了一种适于模拟n沟4H-SiC MOSFET直流I-V特性的整体模型.该模型充分考虑了常温下SiC中杂质不完全离化以及界面态电荷在禁带中不均匀分布的影响,通过解析求解泊松方程以及
特发性血小板减少性紫癜(ITP)是-种较常见的出血性疾病,成年ITP患者多数发展为慢性,约20%的慢性ITP(CITP)患者对肾上腺皮质激素和脾切除治疗均无效。为了探讨重组人白细胞介素-11(rhI
用Raman谱和AES能谱分析了用RTP/VLP-CVD方法生长在Si衬底上的SiGeC合金外延薄膜的应变.结果表明:用RTP/VLP-CVD方法生长的SiGeC合金中掺入的C呈间隙原子或替位原子的形式分
胸部创伤是临床常见的急症,常有严重的复合伤,死亡率高。DR片对明确创伤部位、性质、程度的敏感性及特异性较普通的x线片高、及早进行数字放射x线(DR)检查,明确诊断,及时进行救治,对
在激光灼蚀(PLD)系统中,采用流动的N2作为环境气体成功制备了尺寸从2纳米到几纳米之间的纳米硅,并在1.60~1.75 eV之间观测到了较强的光致发光谱:结合Raman散射和光致发光谱的
从基本物理原理入手,介绍了压电变压器的工作机理;列出了典型的压电变压器,结合器件设计方法,详细分析了不同压电变压器的特点和使用领域。在此基础上.提出微型压电变压器这一发展
特重型颅脑损伤GCS3~5分是当今颅脑损伤治疗的重点和难点,死亡率很高,尤其是GCS3分颅脑损伤病人死亡率几乎100%。目前对于特重型颅脑损伤病人的治疗主要以手术、脱水降颅压、抗生