【摘 要】
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日前,Vishay Intertechnology,Inc.推出新款双芯片20 V P沟道第三代TrenchFET~(?)功率MOSFET——SiA923EDJ。新器件采用2 mm×2 mm占位面积的热增强型PowerPAK~(?)SC-70封装,
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日前,Vishay Intertechnology,Inc.推出新款双芯片20 V P沟道第三代TrenchFET~(?)功率MOSFET——SiA923EDJ。新器件采用2 mm×2 mm占位面积的热增强型PowerPAK~(?)SC-70封装,具有8 V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新的SiA923EDJ可用于DC-DC转换器,以及智能手机、MP3播放器、平板电
Vishay Intertechnology, Inc. today introduced the SiA923EDJ, a new dual-chip 20 V P-channel third-generation TrenchFET® power MOSFET. The new device is available in a 2 mm × 2 mm footprint thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package with an 8 V gate-source voltage and the lowest on-resistance achievable by today’s dual-chip P-channel devices. The new SiA923EDJ can be used for DC-DC converters, as well as smartphones, MP3 players, tablets
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