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研究了在大直径直拉硅单晶中掺氮（N）对原生氧沉淀的影响，通过高温一步退火（1050℃）和低-高温两步退火（800℃+1050℃）发现在掺N直拉（NCZ）硅中氧沉淀的行为与一般直拉（CZ）硅是大小不相同的，经过高温一步退火后，在氧化诱生层错环（OSF-ring)区氧沉淀的量要小于空洞型缺陷（voids)区，而经过低-高温两步退火后，OSF-ring区的氧沉淀量要远远大于voids区，由此可得，在晶体生长过程中，N通过改变硅晶体中空位的浓度及其分布从而改变原生氧沉淀的尺寸和分布，并在此基础上讨论了在大直径NC