论文部分内容阅读
设计并利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长了ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ分别限制单量子阱结构，采用无铝的ＩｎＧａＰ做光学包层。腔面未镀膜情况下，测试１０支条宽１００μｍ，腔长１ｍｍ的激光器样品，连续输出功率超过１Ｗ，阈值电流密度为３３０￣４９０Ａ／ｃｍ＾２，外微分量子效率为５５％￣７８％，中心发射波长为（８０８±３）ｎｍ。