【摘 要】
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本文提出一种新的四线CCD,它允许阵列同旁的里、外移位寄存器的串扫和并扫时钟公用一组总线。这就有可能用特殊的结构使电荷从里面的移位寄存器转到外面的移位寄存器。以8μm
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本文提出一种新的四线CCD,它允许阵列同旁的里、外移位寄存器的串扫和并扫时钟公用一组总线。这就有可能用特殊的结构使电荷从里面的移位寄存器转到外面的移位寄存器。以8μm间距成功地制作了有384,808,1728和3456个光敏元件的线阵;光敏元件的非均匀性低于±5%,里、外移位寄存器的转移损失为1×10~(-5)。
In this paper, a new four-wire CCD is proposed, which allows the bus to share a common set of buses with the serial and parallel shift registers in the array. This makes it possible to use special structures to shift charge from the inner shift register to the outer shift register. The array of 384, 808, 1728 and 3456 photosensitive elements was successfully fabricated at 8μm pitch. The non-uniformity of photosensitive elements was less than ± 5%, and the transfer loss of the inner and outer shift registers was 1 × 10-5. .
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