【摘 要】
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以ZnPc和CuPc混合物作为有机半导体光敏材料,制备了具有Cu/ZnPc-CuPc/Al/ZnPc-CuPc/ITO 5层垂直结构的有机薄膜晶体管。制备过程采用真空蒸镀及磁控溅射工艺。用波长335 nm、
【机 构】
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哈尔滨理工大学理学院（教育部工程电介质重点实验室）
【基金项目】
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国家自然科学基金(61201075).
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以ZnPc和CuPc混合物作为有机半导体光敏材料,制备了具有Cu/ZnPc-CuPc/Al/ZnPc-CuPc/ITO 5层垂直结构的有机薄膜晶体管。制备过程采用真空蒸镀及磁控溅射工艺。用波长335 nm、625 nm和700 nm的光照射晶体管时,晶体管工作电流有明显放大,其中波长700 nm光照射时电流放大倍数最大。当V_(b)=0 V时,工作电流受光照影响最为明显。ZnPc/CuPc混合膜薄膜晶体管在波长335 nm光照射下的光电敏感度最高。将混合材料的有机薄膜晶体管与ZnPc薄膜晶体管及CuPc薄
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