HgTe-CdTe超点阵作红外探测器材料的优点

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发现HgTe—CdTe超点阵用做红外探测器材料,其性能比(HgCd)Te合金好。计算表明,对于具有相同的带隙,超点阵的隧道效应长度比合金的隧道效应长度短。在给定的截止波长范围内,我们发现对超点阵材料的控制参数(层厚)不必象对合金的控制参数(组分)那样精确,另外,预测到p边扩散电流会由于超点阵具有较大的电子有效质量而减小。 HgTe-CdTe superlattice was found to be used as an infrared detector material, and its performance is better than (HgCd) Te alloy. Calculations show that for the same bandgap, the tunnel effect length of the superlattice is shorter than the tunneling effect of the alloy. For a given cut-off wavelength, we find that the control parameters (layer thickness) for the superlattice material do not have to be as accurate as the control parameters (components) for the alloy. In addition, it is predicted that the p-side diffusion current is due to the superlattice With a larger effective mass and reduce electron.
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