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作为高密度功率半导体器件的领航者,三菱电机采用最新的CSTBTM硅片技术开发出了大功率两单元功率模块,额定值达到900A/1200V、1400A/1200V和1000A/1700V.这种具有独特设计优势的大功率两单元(Mega Power Dual)IGBT模块适用于大功率UPS、风能发电和大功率电动机驱动.介绍了MPD模块的结构特点和电气特性.