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由于ＳｉＣ材料的单晶生长，薄膜制备及相关器件工艺的长足进步，使ＳｉＣ半导体器件的研制和生产出现了蓬勃发展的局面。本文主要介绍了近几年ＳｉＣ材料的化学气相淀积，气相和离子注入掺杂，热生长ＳｉＯ２，活性离子腐蚀和形成欧姆接触的基本原理以及这些器件制备工艺的发展状况。
SiC器件基本制备工艺的原理与发展现状
【摘 要】
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由于ＳｉＣ材料的单晶生长，薄膜制备及相关器件工艺的长足进步，使ＳｉＣ半导体器件的研制和生产出现了蓬勃发展的局面。本文主要介绍了近几年ＳｉＣ材料的化学气相淀积，气相和离子注入掺杂，热生长ＳｉＯ２，活
【机 构】
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河北大学电子与信息工程系
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1994年2期
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