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利用浸渍法对三钛酸钠晶须进行表面改性，制备出改性三钛酸钠晶须，并用扫描电镜（SEM）等手段对其进行了表征。以其为吸附剂，电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP—AES）为分析手段，探讨了改性三钛酸钠晶须在静态吸附条件下对Mo（Ⅵ）的吸附性能；考察了影响其吸附和解脱的主要因素及在优化条件下Mo（Ⅵ）的吸附容量；研究了常见共存离子的影响，并做了选择性比较实验。结果表明：在pH2．0下，0．3000g改性三钛酸钠晶须对Mo（Ⅵ）的吸附率可达到99％以上；10mL0．1mol／LNH3·H2O作为解脱剂可