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本文利用化学腐蚀、扩展电阻探针、透射电镜和电子探针等研究了氮气氛直拉硅的本征吸杂。经高——低——高三段热处理可获得比较完整的洁净区,体内有高密度且分布均匀的氧沉淀及其诱生缺陷,它们具有吸杂能力。洁净区内有片状残余缺陷。跟氩气氛直拉硅相比,氮气氛直拉硅的氧沉淀及其诱生缺陷有些不同。体内沉淀除片状外,主要是四面体。层错中央无氧沉淀。位错环是由氧沉淀诱生位错成为F—R源增殖的。