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利用分子束外延技术制得InAs量子点样品, 采用分光光度法对样品的光致发光效率进行研究. 发现在InAs层和GaAs覆盖层之间插入隧道阻挡层, 当激发功率密度为60 W/cm2时, InAs量子点发射强度的增加量超过一个数量级. 这种光复合效率的增强是由于浸润层中的非辐射跃迁受到了抑制所致.