INAS相关论文
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利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.......
采用分子束外延技术,固定InAs淀积厚度为2.3ML,As压为5.1×10-7mbar,生长速度为0.5ML/s的情况下,在不同的生长温度下制备了InAs量......
采用分子束外延技术,固定InAs淀积厚度为2.4ML,As压为5.1×10-7mbar,生长速度为0.1ML/s的情况下,在不同的生长温度下制备了InAs/Ga......
高电子迁移率的Ⅲ-Ⅴ族半导体有望取代硅，作为下一代金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的沟道材料应用于超大规模集成电路上[1]......
nAs材料由于有窄的带隙、高的电子迁移率、小的电子有效质量等特性在电子、光电等领域有广泛的应用前景。以InAs纳米线为基元材料......
以InSb、InAs 和 GaSb为代表的III-V族半导体,具有极其优异的电子输运特性和独特的小能隙能谱结构,是研制新型超高速纳米电子器件......
近年来，异质结纳米材料由于其新颖的结构及独特的光电特性，引起了广泛而深入的研究.作为异质结纳米材料的一种，半导体异质结纳米线由......
采用内部求和空ｄ轨道处理下的线性丸盒轨道方法，对以ＩｎＡｓ为衬底和以ＧａＡｓ为衬底以及ＩｎＡｓ层和ＧａＡｓ层自由形变三种不同的应变状态下的超晶格（ＩｎＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００ｌ），（ｎ＝１，２，３，４，５）的电子结构进......
Enhancement of Crystalline Quality of Strained InAs／InP Quantum Well Structures by Rapid Thermal Ann
ＥｎｈａｎｃｅｍｅｎｔｏｆＣｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＱｕａｌｉｔｙｏｆＳｔｒａｉｎｅｄＩｎＡｓ／ＩｎＰＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌＳｔｒｕｃｔｕｒｅｓｂｙＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌｉｎｇＸＩＮＧＱＪ；ＺＨＡＮＧＢ；ＷＡＮＧＳＭ（ＢｅｉｊｉｎｇＵｎｉｖ...
EnhancementofCrystallineQualityofStrainedInAs/InPQuantumWellStructuresbyRapidThermalAnalingXINGQJ; ZHANGB; WANGSM (......
成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＩｎＡｓ自组织生长的量子点电学性质，获得２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级在ＧａＡｓ导带底下约０．１３ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时......
研究了快速热退火对应变ＩｎＡＳ／ＩｎＰ单量子阱（ＳＱＷ）结构光学性质的影响。样品经最佳条件７００℃ｔ，５ｓ的快速热退火，８Ｋ温度下量子阱的荧光强度增加了４倍，量子阱荧光峰......
本文报道ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ自组织生长量子点结构中发光的温度特性．在１２～１５０Ｋ温度范围内，实验测得的ＩｎＡｓ激子发光能量随温度增加明显红移，其红移速率远大于ＩｎＡｓ带隙的温......
本文利用在ＧａＡｓ（１００）衬底上自组织生长超薄层ＩｎＡｓ的方法得到了ＩｎＡｓ量子点结构．当ＩｎＡｓ的覆盖度小于１．７ＭＬ（Ｍｏｎｏ－Ｌａｙｅｒ）时，ＩｎＡｓ层仍保持二维生长模式，而当ＩｎＡｓ的覆盖度大于１．７ＭＬ时，ＩｎＡｓ层将会成岛生......
利用ＭＢＥ方法在（００１）ＧａＡｓ衬底上生长了多层竖直自对准ＩｎＡｓ量子点结构．透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布．同单层量子点相比，多层量子......
利用ＧａＡｓ 衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件，具有灵敏度高（在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是ＧａＡｓ Ｈａｌｌ器件的１．５ 倍），不等位电压温漂小等优点．可用于电流传......
我们利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了一系列ＩｎＡｓ自组织生长的量子点超晶格样品，确认样品中存在体ＧａＡｓ缺陷能级ＥＬ２和ＩｎＡｓ量子点电子基态能级．测得１．７和２．５原子层ＩｎＡｓ量子......
利用分子束外延（ＭＢＥ）生长的高迁移率ＩｎＡｓ外延层成功制备了的薄膜Ｈａｌ器件。这种Ｈａｌ器件具有灵敏度高、温度特性好等优点。室温下的积灵敏度和电压相......
本文在国内首次报道了利用ＩｎＡｓ外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在ＧａＡｓ衬底上生长的ＩｎＡｓ薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性．用这种材......
１．论文名称ＳｏｌｖｏｔｈｅｒｍａｌＣｏ－ｒｅｄｕｃｔｉｏｎＲｏｕｔｅｔｏｔｈｅＮａｎｏｃｒｙｓｔａｌｉｎｅⅢ—ⅤＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＩｎＡｓ２．发表刊物Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９７，１１９，７８６９．３．研究者李亚栋＊段镶峰钱逸泰＊...
1. Paper name SolvothermalCo-reductionRoutetotheNanocrystalineⅢ-ⅤSe......
报道了利用分子束外延技术在（001）GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜（TEM）研究结果，并对量子点的结构特性进行......
我们利用分子束外延（ Ｍ Ｂ Ｅ）技术在 Ｇａ Ａｓ（００１）衬底上生长 １８ 个原子层的 Ｉｎ Ａｓ，形成了纳米尺寸的 Ｉｎ Ａｓ 量子点．对 Ｉｎ Ａｓ 量子点进行原子力显微镜（ Ａ Ｆ Ｍ ）测量......
研究了不同In组分的InxGa1-xAs(0≤x≤ 0 3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响 .透射电子显微镜和原子力显微镜表......
用MOCVD技术在偏(100)GaAs衬底上生长了发光波长在1·3μm的线状空间规则排列InAs量子点.光致发光实验表明,相对于正(100)衬底,偏(......
在分子束外延生长的InAs/In0.52Al0.48As/InP异质结体系中,形成InAs量子线.这些InAs量子线在生长和结构方面有一些独到的特性,并介......
用有限元法对InAs/GaAs量子点材料的应变分布进行了研究,特别强调了三元化合物In0.2Ga0.8As应变减少层对各个应变分量的影响。在应......
研究了GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装生长的InAs量子点.在2MLGaSb/1MLGaAs复合应力缓冲层上获得了高密度的、沿[100]方向择优分......
利用分子束外延生长InAs单量子点样品,温度为5K时,测量了单量子点中单、双激子自发辐射的荧光(PL)光谱.研究了单、双激子发光强度......
本文在处理InAs单电子量子点哈密顿模型时,将自旋-轨道(SO)相互作用作为微扰项,计算在Fock-Darwin本征函数下SO相互作用的矩阵元,......
研究了窄带隙材料InAs和三种不同掺杂浓度的InN在不同抽运光强激发下产生太赫兹(THz)波的辐射特性.实验结果表明:在相同的抽运光强......
在低温5K下,采用光致发光光谱及外加偏压调谐量子点电荷组态研究了InAs单量子点的精细结构和对应发光光谱的偏振性、不同带电荷激......
采用分子束外延(MBE)法,在优化Ge衬底退火工艺的基础上,通过对比在(001)面偏方向分别为0°、2°、4°和6°的Ge衬底上生长的GaAs薄......
系统研究了在调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结中嵌入InAs量子点后对二维电子气输运特性的影响。使用分子束外延设备生长了量子点层与二......
利用MBE的方法在晶格失配的GaAs衬底上制备了新型红外探测材料InAs0.07Sb0.93薄膜。并利用电子束刻蚀的方法在InAs0.07Sb0.93薄膜......
制备了InAs/InAlGaAs/InP(001)量子线结构,利用变温光致发光谱(PL)研究了InAs量子线的光学特性.随温度增加InAs量子线PL谱的发光峰......
InAs/GaSb超晶格材料是目前唯一理论上性能超越碲镉汞的红外探测器材料,被公认为制备第三代红外探测器的优选材料.利用分子束外延......
