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镨和铕离子注入硅的快速热退火研究
镨和铕离子注入硅的快速热退火研究
来源 :中国稀土学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lele3383
【摘 要】
:
利用离子注入技术将稀土Pr和Eu离子引入外延硅片中,经快速热退火使注入层再结晶和电激活。对Pr离子注入样品,在较低温度940℃下退火,样品具有电子导电性,注入离子起施主作用,而在较高强度1240℃
【作 者】
:
刘世祥
石万全
柳雪君
刘洪图
刘峰奇
刘磁辉
【机 构】
:
中国科学院研究生院,中国科学技术大学
【出 处】
:
中国稀土学报
【发表日期】
:
1996年1期
【关键词】
:
离子注入
硅
快速热退火
喇曼增强
镨
铕
Pr ̄(3+)
Eu ̄(3+)
Rapid-thermal annealing
Implanted silic
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利用离子注入技术将稀土Pr和Eu离子引入外延硅片中,经快速热退火使注入层再结晶和电激活。对Pr离子注入样品,在较低温度940℃下退火,样品具有电子导电性,注入离子起施主作用,而在较高强度1240℃下退火,则具有穴穴导电性,注入离子起受主作用,即有两种导电行为。
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