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利用离子注入技术将稀土Ｐｒ和Ｅｕ离子引入外延硅片中，经快速热退火使注入层再结晶和电激活。对Ｐｒ离子注入样品，在较低温度９４０℃下退火，样品具有电子导电性，注入离子起施主作用，而在较高强度１２４０℃下退火，则具有穴穴导电性，注入离子起受主作用，即有两种导电行为。
镨和铕离子注入硅的快速热退火研究
【摘 要】
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利用离子注入技术将稀土Ｐｒ和Ｅｕ离子引入外延硅片中，经快速热退火使注入层再结晶和电激活。对Ｐｒ离子注入样品，在较低温度９４０℃下退火，样品具有电子导电性，注入离子起施主作用，而在较高强度１２４０℃
【机 构】
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中国科学院研究生院,中国科学技术大学
【出 处】
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中国稀土学报
【发表日期】
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1996年1期
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