利用离子注入技术将稀土Ｐｒ和Ｅｕ离子引入外延硅片中，经快速热退火使注入层再结晶和电激活。对Ｐｒ离子注入样品，在较低温度９４０℃下退火，样品具有电......

报道了ＴｂＰ５Ｏ１４非晶材料及其掺入Ｇｄ＾３＋和Ｐｒ＾３＋之后的喇曼光谱，讨论了掺杂稀土离子对分子键结构和光学性能的影响，实验结果表明３２５ｃｍ＾－１线的主要贡献者是ＲＥ－Ｏ键，掺杂稀......