用离子背散射方法进行半导体材料的表面分析

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一、引 言 单能离子束的背散射技术已广泛地应用到固体物理中.随着半导体技术的飞跃发展,背散射技术又与半导体物理的发展紧密地联系起来,使它成为研究半导体表面不可缺少的分析手段之一.在1973—1977年曾先后召开过三次有关离子束表面分析的国际会议[1-3],详细介绍了背散射技 I. INTRODUCTION Backscattering technology of single energy ion beam has been widely applied to solid state physics.With the rapid development of semiconductor technology, backscattering technology is closely linked with the development of semiconductor physics, making it indispensable for the study of semiconductor surface One of the means of analysis in 1973-1977 has held three times on the ion beam surface analysis of the international conference [1-3], described in detail the backscatter technology
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