【摘 要】
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本文研究了大通量辐照(10~(12)n/cm~2)的NTD CZ在750—1200℃范围内退火的行为。发现在该温度区间内会产生高浓度的“中照施主”,最高可达到10~(16)cm~(-3)。只有在高于1100
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本文研究了大通量辐照(10~(12)n/cm~2)的NTD CZ在750—1200℃范围内退火的行为。发现在该温度区间内会产生高浓度的“中照施主”,最高可达到10~(16)cm~(-3)。只有在高于1100℃退火才能获得准确的目标电阻率.探讨了大通量辐照NTD CZ Si的退火工艺,“中照施主”的形成及其消除条件。
In this paper, the behavior of NTD CZ annealed in the range of 750-1200 ℃ with large flux (10 ~ (12) n / cm ~ 2) was studied. Found in the temperature range will have a high concentration of “the middle of the donor,” up to 10 ~ (16) cm ~ (-3). The exact target resistivity can be obtained only by annealing above 1100 ° C. The annealing process of NTD CZ Si with large flux and the formation and elimination conditions of “middle-charge donor” are discussed.
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