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使用传输矩阵方法模拟光场特性，设计了带有模式扩展层的900nm窄发散角量子阱激光器（LD），利用金属有机化合物气相淀积（MOCVD）技术生长了器件。垂直方向远场发散角由常规结构LD的35°减小为20°，且阈值电流和光限制因子都没有明显变化。
900nm窄发散角量子阱激光器
【摘 要】
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使用传输矩阵方法模拟光场特性，设计了带有模式扩展层的900nm窄发散角量子阱激光器（LD），利用金属有机化合物气相淀积（MOCVD）技术生长了器件。垂直方向远场发散角由常规结构LD的35&#
【机 构】
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河北工业大学信息学院,唐山工业职业技术学院,中国电子科技集团十一研究所
【出 处】
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光电子．激光
【发表日期】
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2006年3期
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