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在配有液N2冷却As快门的分子束外延设备中利用迁殉增强外延(MEE)方法于低温下生长了GaAs/Al/GaAs结构材料。俄歇测量结果表明:用MEE方法生长 材料中Al和GaAs之间的互扩散大大减小,在500℃热处理后也没有引起多大的互扩散。我们还发现在高指数GaAs(113)B面上用MEE方法生长GaAs薄膜效果更好。