在550℃用原子层外延生长了 GaN 单晶薄膜。在低温下生长的薄膜室温光致发光特性由带边发射所控制,其强度与在1000℃通过金属有机......

在配有液Ｎ２冷却Ａｓ快门的分子束外延设备中利用迁移增强外延（ＭＥＥ）方法于低温下生长了ＧａＡｓ／Ａｌ／ＧａＡｓ结构材料。俄歇测量结果表明，用ＭＥＥ方法生长的材料中Ａｌ和ＧａＡｓ之间的......

半导体超薄层外延是超晶格与量子阱研究的技术基础。化学束外延、原子层外延、迁移增强外延、选择区域外延、激光辅助外延和低温Si......

采用分子束外延(MBE)法,在优化Ge衬底退火工艺的基础上,通过对比在(001)面偏方向分别为0°、2°、4°和6°的Ge衬底上生长的GaAs薄......

本文综述了分子束外延技术在人造结构材料及器件上的应用,重点在于用分子束外延制备掺杂超晶格;应变层结构,无针孔硅化物和单晶二......

本文介绍了电机拖动,光电控制的软动作快门的设计及使用的基本情况。该装置挡板位移55mm所用时间仪为0.1s,经过一万次左右的开关试......

在配有液Ｎ２冷却Ａｓ快门的分子束外延设备中利用迁殉增强外延（ＭＥＥ）方法于低温下生长了ＧａＡｓ／Ａｌ／ＧａＡｓ结构材料。俄歇测量结果表明：用ＭＥＥ方法生长 材料中Ａｌ和ＧａＡｓ之间的......