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在配有液N2冷却As快门的分子束外延设备中利用迁移增强外延(MEE)方法于低温下生长了GaAs/Al/GaAs结构材料。俄歇测量结果表明,用MEE方法生长的材料中Al和GaAs之间的......
半导体超薄层外延是超晶格与量子阱研究的技术基础。化学束外延、原子层外延、迁移增强外延、选择区域外延、激光辅助外延和低温Si......
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