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980nm InGaAs应变量子阱激光器和掺铒光纤放大器用泵浦源

来源 :北京工业大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yangyp88

【摘 要】

：

利用分子束外延技术研制出高质量ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子材料及量子阱激光器，在室温和１０Ｋ温度下，应变量子阱材料的光荧光峰值半宽分别为３２ｍｅＶ和２．４ｍｅＶ，宽接触激光器的阈值电流密度低达１４０Ａ／ｃｍ＾２脊形波导窄条形量子阱激

【作 者】

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徐遵图 徐俊英 

【机 构】

：

北京工业大学和北京市光电子实验室

【出 处】

：

北京工业大学学报

【发表日期】

：

1996年4期

【关键词】

：

应变层 量子阱 半导体激光器 泵浦源 光纤放大器 strained layer  quantum well  semiconductor laser  coup 

【基金项目】

：

国家科委＂八六三计划＂,北京市高科技资助项目

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利用分子束外延技术研制出高质量ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子材料及量子阱激光器，在室温和１０Ｋ温度下，应变量子阱材料的光荧光峰值半宽分别为３２ｍｅＶ和２．４ｍｅＶ，宽接触激光器的阈值电流密度低达１４０Ａ／ｃｍ＾２脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为１５ｍＡ和０．８Ｗ／Ａ，线性输出功率大于１２０ｍＷ，基横模输出功率可达１００ｍＷ。ＩｎＧａＡｓ应变量子阱激光器和单模光纤进行耦合，其

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