【摘 要】
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采用等离子体刻蚀工艺，以四氟化碳(CF4）和氧气(O2）的混合气体作为刻蚀气体，对常压化学气相淀积工艺制备的β-SiC单晶薄膜进行了系统的图形刻蚀研究。结果表明，在SiC薄膜的等离子体
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采用等离子体刻蚀工艺，以四氟化碳(CF4）和氧气(O2）的混合气体作为刻蚀气体，对常压化学气相淀积工艺制备的β-SiC单晶薄膜进行了系统的图形刻蚀研究。结果表明，在SiC薄膜的等离子体图形刻蚀中，金属铝(Al）是一种很有效的掩模材料；可刻蚀出的图形最小条宽为4μm，图形最小间距为2μm，并且刻蚀基本为各向同性；文中还对影响图形刻蚀质量的一些因素进行了讨论。
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