【摘 要】
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本文综述MOCVD法生长HgCdTe薄膜晶体技术是生长超品格的需要,介绍了国内外的发展过程及本法的特点。目前在生长HgCdTe外延层方面存在的主要问题是外延层和衬底之间的互扩散和
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本文综述MOCVD法生长HgCdTe薄膜晶体技术是生长超品格的需要,介绍了国内外的发展过程及本法的特点。目前在生长HgCdTe外延层方面存在的主要问题是外延层和衬底之间的互扩散和晶格失配。为此,在有机金属源、衬底外延工艺和生长方法上加以改进,因而发展成为:常压(标准)、低压、低温、光致、激光辅助MOCVD和化学束外延(CBE)等六种方法。
This review summarizes the growth of HgCdTe thin film crystal technology by MOCVD is the need of growth super character, introduces the development process at home and abroad and the characteristics of this law. The main issue currently present in the growth of HgCdTe epitaxial layers is the interdiffusion and lattice mismatch between the epitaxial layer and the substrate. To this end, the organic metal source, the substrate epitaxial process and growth methods to be improved, and thus developed into: atmospheric (standard), low pressure, low temperature, photoluminescence, laser assisted MOCVD and chemical beam epitaxy (CBE) .
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