论文部分内容阅读
采用CSMC 5V 0．6μm标准CMOS工艺设计研制了一种过温保护电路。该电路由三部分构成：PTAT（与热力学温度成正比）电压产生电路，带隙基准源电路和比较器电路。芯片测试结果表明在30～130℃温度范围内PTAT输出电压线性度良好（最大偏差小于1．6％），灵敏度约为10mV／℃；关断温度可由外接电阻设定，85℃以下实测值与设定值偏差小于5℃，85℃以上偏差稍大约为10℃。该过温保护芯片电路结构简单、面积小、功耗低，且具有良好的移植性，可广泛应用于LED照明驱动电路，电源管理芯片等场合，也可用于和MOS