【摘 要】
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本文介绍一种 C-V 电阻率测试仪系列分段校正方法。经校正实验表明:用高精度电容、变容二极管,金相显徽镜标准尺,低内阻直流电位差计以及 XFD-8型超低频信号发生器对 CTG-1型
【机 构】
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上海半导体材料厂,上海半导体材料厂,
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本文介绍一种 C-V 电阻率测试仪系列分段校正方法。经校正实验表明:用高精度电容、变容二极管,金相显徽镜标准尺,低内阻直流电位差计以及 XFD-8型超低频信号发生器对 CTG-1型高频 C-V 特性仪,LZ_3-100型函数记录仪以及汞滴直径的静态和动态校正,对提高硅外延层电阻率测量的精确性,稳定性具有独到之处。
This article describes a C-V resistivity tester series of subsection correction method. The calibration experiments show that the CTG-1 high-frequency CV characteristic meter, the LZ_3-C high-frequency CV characteristic meter and the XFD-8 ultra-low frequency signal generator with high precision capacitors, varactor diodes, 100 Function Recorder and the static and dynamic correction of the mercury droplet diameter are unique to improve the accuracy and stability of the resistivity measurement of the silicon epitaxial layer.
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